BSH114,215,1758071,晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V,NEXPERIA
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BSH114,215 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V

NEXPERIA BSH114,215
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制造商产品编号：
BSH114,215
仓库库存编号：
1758071
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSH114,215产品概述

The BSH114,215 is a 100V N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor uses TrenchMOS?1 technology. Low on resistance and fast switching performance makes this device suitable for use in relays and DC to DC converters applications.
  • 150°C Junction temperature
  • Low conduction losses

电源管理, 工业

BSH114,215产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  500mA  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.4ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  830mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

BSH114,215替代选择

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BSH114,215参考库存及参考价格

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45000 +  ￥1.49 
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BSH114,215产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000006
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