BSP230,135.,2136449,场效应管, P沟道, DMOS FET, -300V, -210mA, 3-SOT-223,NXP
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BSP230,135. - 

场效应管, P沟道, DMOS FET, -300V, -210mA, 3-SOT-223

NXP BSP230,135.
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制造商:
NXP NXP
制造商产品编号:
BSP230,135.
仓库库存编号:
2136449
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSP230,135.产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -210mA  
  漏源电压, Vds  -300V  
  在电阻RDS(上)  17ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -2.8V  
  功耗 Pd  1.5W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSP230,135.产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00021
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