PHT6NQ10T,1758092,晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 90 mohm, 10 V, 3 V,NEXPERIA
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PHT6NQ10T - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 90 mohm, 10 V, 3 V

NEXPERIA PHT6NQ10T
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制造商产品编号:
PHT6NQ10T
仓库库存编号:
1758092
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PHT6NQ10T产品概述

The PHT6NQ10T is a 100V standard level N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor uses TrenchMOS technology. Low conduction losses due to low on-state resistance and higher operating power due to low thermal resistance. Suitable for use in DC to DC converters, motor and relay drivers applications.
  • 150°C Junction temperature
  • Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics

电源管理, 工业, 电机驱动与控制

PHT6NQ10T产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  3A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS(上)  90mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  8.3W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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PHT6NQ10T参考库存及参考价格

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24000 +  ¥4.05 
电话:400-900-3095
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PHT6NQ10T产地与重量

原产地:
Germany

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000197
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