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PSMN0R9-30YLD - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.00065 ohm, 10 V, 1.5 V

NEXPERIA PSMN0R9-30YLD
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制造商产品编号:
PSMN0R9-30YLD
仓库库存编号:
2449086
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PSMN0R9-30YLD产品概述

The PSMN0R9-30YLD is a 30V logic level N-channel Enhancement Mode MOSFET using NextPowerS3 technology. NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. It is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies. Suitable for on-board DC-to-DC solutions for server and telecommunications and secondary-side synchronous rectification in telecommunication applications.
  • Avalanche rated, 100% tested at I (as) = 190A
  • Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
  • Superfast switching with soft-recovery, s-factor >1
  • Low spiking and ringing for low EMI designs
  • Optimised for 4.5V gate drive
  • Low parasitic inductance and resistance
  • High reliability clip bonded and solder die attach power SO8 package
  • Wave solderable exposed leads for optimal visual solder inspection

电源管理, 工业, 通信与网络

PSMN0R9-30YLD产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  100A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  0.00065ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.5V  
  功耗 Pd  349W  
  晶体管封装类型  SOT-1023  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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PSMN0R9-30YLD产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00001
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