PSMN4R8-100BSE,2281226,晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0041 ohm, 10 V, 3 V,NEXPERIA
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PSMN4R8-100BSE - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0041 ohm, 10 V, 3 V

NEXPERIA PSMN4R8-100BSE
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制造商产品编号:
PSMN4R8-100BSE
仓库库存编号:
2281226
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PSMN4R8-100BSE产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  120A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS(上)  0.0041ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  405W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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PSMN4R8-100BSE产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85412900
重量(千克):
.031751
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