2N7002LT3G,1764537,场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA SOT-23,ON SEMICONDUCTOR
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2N7002LT3G - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA SOT-23

ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT3G
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制造商产品编号:
2N7002LT3G
仓库库存编号:
1764537
技术数据表:
(EN)
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2N7002LT3G产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  115mA  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  7.5ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.5V  
  功耗 Pd  300mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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电话:400-900-3095
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2N7002LT3G产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000044
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