BC847BDW1T3G,2533306,Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE,ON SEMICONDUCTOR
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BC847BDW1T3G - 

Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE

ON SEMICONDUCTOR BC847BDW1T3G
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制造商产品编号:
BC847BDW1T3G
仓库库存编号:
2533306
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BC847BDW1T3G产品信息

  晶体管极性  双NPN  
  集电极发射电压, Vceo  45V  
  过渡频率, ft  100MHz  
  功耗 Pd  380mW  
  集电极直流电流  100mA  
  直流电流增益, hFE  200hFE  
  晶体管封装类型  SOT-363  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BC847BDW1T3G产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000016
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