MJ11015G,9556575,单晶体管 双极, PNP, -120 V, 200 W, -30 A, 1000 hFE,ON SEMICONDUCTOR
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MJ11015G - 

单晶体管 双极, PNP, -120 V, 200 W, -30 A, 1000 hFE

ON SEMICONDUCTOR MJ11015G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MJ11015G
仓库库存编号：
9556575
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MJ11015G产品概述

The MJ11015G from On Semiconductor is a through hole, 30A, 120V PNP darlington bipolar power transistor in TO-204AA(TO-3) package. Features high DC current gain and monolithic construction with built-in base emitter shunt resistor. It functions as an output device in complementary general purpose amplifier applications.
  • Collector to emitter voltage (Vce) of -120V
  • Collector current (Ic) of -30A
  • Power dissipation of 200W
  • Operating junction temperature range from -55°C to 200°C
  • Collector emitter breakdown Voltage of -120V
  • Collector emitter saturation voltage of -3V at 20A collector current

信号处理, 电源管理, 便携式器材, 消费电子产品, 工业

MJ11015G产品信息

  晶体管极性  PNP  
  集电极发射电压, Vceo  -120V  
  过渡频率, ft  -  
  功耗 Pd  200W  
  集电极直流电流  -30A  
  直流电流增益, hFE  1000hFE  
  晶体管封装类型  TO-3  
  针脚数  2引脚  
  工作温度最高值  200°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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MJ11015G替代选择

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QQ:800152669

MJ11015G产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.011793
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