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MMUN2233LT1G - 

晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR MMUN2233LT1G
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制造商产品编号:
MMUN2233LT1G
仓库库存编号:
1651085
技术数据表:
(EN)
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MMUN2233LT1G产品概述

The MMUN2233LT1G is a NPN Transistor with monolithic bias resistor network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
  • Simplifies circuit design
  • Reduces component count
  • AEC-Q101 Qualified
  • PPAP capable

工业

MMUN2233LT1G产品信息

  数字晶体管极性  单路NPN  
  集电极发射电压, Vceo  50V  
  集电极连续电流  100mA  
  基极输入电阻 R1  4.7kohm  
  电阻, 基极-发射极, R2  47kohm  
  电阻比 R1/R2  0.1电阻比率  
  射频晶体管封装  SOT-23  
  引脚数  3引脚  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

MMUN2233LT1G替代选择

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MMUN2233LT1G产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000008
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