NCP5901DR2G,2464234,驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-13.2V电源, -11ns延迟, SOIC-8,ON SEMICONDUCTOR
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NCP5901DR2G - 

驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-13.2V电源, -11ns延迟, SOIC-8

ON SEMICONDUCTOR NCP5901DR2G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NCP5901DR2G
仓库库存编号:
2464234
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NCP5901DR2G产品概述

The NCP5901DR2G is a dual high performance MOSFET Gate Driver optimized to drive the gates of both high-side and low-side power MOSFETs in a synchronous buck converter. It can drive up to 3nF load with a 25ns propagation delay and 20ns transition time. Adaptive anti-cross-conduction and power saving operation circuit can provide a low switching loss and high efficiency solution for notebook and desktop systems. Bidirectional EN pin can provide a fault signal to controller when the gate driver fault detect under OVP, UVLO occur. Also, an under-voltage lockout function guarantees the outputs are low when supply voltage is low.
  • Faster rise and fall times
  • Adaptive anti-cross-conduction circuit
  • Pre OV function
  • ZCD detect
  • Floating top driver accommodates boost voltages of up to 35V
  • Output disable control turn-OFF both MOSFETs
  • Under-voltage lockout
  • Power saving operation under light load conditions
  • Direct interface to NCP6151 and other compatible PWM controllers

计算机和计算机周边

NCP5901DR2G产品信息

  驱动配置  高压侧和低压侧  
  输出电流峰值  -  
  电源电压最小值  4.5V  
  电源电压最大值  13.2V  
  驱动器封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  输入延迟  16ns  
  输出延迟  11ns  
  工作温度最小值  -10°C  
  工作温度最高值  125°C  
  封装  剪切带  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

NCP5901DR2G产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423990
重量(千克):
.00002
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