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NSVT65010MW6T1G - 

双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

ON SEMICONDUCTOR NSVT65010MW6T1G
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制造商产品编号：
NSVT65010MW6T1G
仓库库存编号：
2508353
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NSVT65010MW6T1G产品信息

  晶体管极性  双PNP  
  集电极发射电压, Vceo  -65V  
  功耗 Pd  380mW  
  集电极直流电流  -100mA  
  直流电流增益, hFE  0.9hFE  
  晶体管封装类型  SOT-363  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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NSVT65010MW6T1G产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.002
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