NTR1P02LT1G.,2394361,场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23,ON SEMICONDUCTOR
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NTR1P02LT1G. - 

场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23

ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G.
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制造商产品编号:
NTR1P02LT1G.
仓库库存编号:
2394361
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTR1P02LT1G.产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -1.3A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS(上)  0.14ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -1V  
  功耗 Pd  400mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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NTR1P02LT1G.产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000031
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