NTS2101PT1G,1453612,晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV,ON SEMICONDUCTOR
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NTS2101PT1G - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV

ON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G
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制造商产品编号:
NTS2101PT1G
仓库库存编号:
1453612
技术数据表:
(EN)
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NTS2101PT1G产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  1.4A  
  漏源电压, Vds  -8V  
  在电阻RDS(上)  100mohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -700mV  
  功耗 Pd  290mW  
  晶体管封装类型  SOT-323  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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NTS2101PT1G产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000005
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