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NVMFD5853NLT1G - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 34 A, 40 V, 0.0084 ohm, 10 V, 2.4 V

ON SEMICONDUCTOR NVMFD5853NLT1G
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制造商产品编号:
NVMFD5853NLT1G
仓库库存编号:
2724463
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NVMFD5853NLT1G产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  34A  
  漏源电压, Vds  40V  
  在电阻RDS(上)  0.0084ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.4V  
  功耗 Pd  24W  
  晶体管封装类型  DFN  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

NVMFD5853NLT1G产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000013
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