NVMFS6B14NLWFT1G,2563381,晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0105 ohm, 10 V, 3 V,ON SEMICONDUCTOR
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

NVMFS6B14NLWFT1G - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0105 ohm, 10 V, 3 V

ON SEMICONDUCTOR NVMFS6B14NLWFT1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NVMFS6B14NLWFT1G
仓库库存编号：
2563381
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

NVMFS6B14NLWFT1G产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  55A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.0105ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  94W  
  晶体管封装类型  DFN  
  针脚数  5引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  NVMFS6B14NL  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

NVMFS6B14NLWFT1G相关搜索

晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 55A  ON SEMICONDUCTOR 电流, Id 连续 55A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 55A  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 55A   漏源电压, Vds 100V  ON SEMICONDUCTOR 漏源电压, Vds 100V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V   在电阻RDS（上） 0.0105ohm  ON SEMICONDUCTOR 在电阻RDS（上） 0.0105ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.0105ohm  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.0105ohm   电压 @ Rds测量 10V  ON SEMICONDUCTOR 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 3V  ON SEMICONDUCTOR 阈值电压 Vgs 3V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 3V  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 3V   功耗 Pd 94W  ON SEMICONDUCTOR 功耗 Pd 94W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 94W  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 94W   晶体管封装类型 DFN  ON SEMICONDUCTOR 晶体管封装类型 DFN  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 DFN  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 DFN   针脚数 5引脚  ON SEMICONDUCTOR 针脚数 5引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 5引脚  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 5引脚   工作温度最高值 175°C  ON SEMICONDUCTOR 工作温度最高值 175°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C   产品范围 NVMFS6B14NL  ON SEMICONDUCTOR 产品范围 NVMFS6B14NL  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 NVMFS6B14NL  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 NVMFS6B14NL   汽车质量标准 AEC-Q101  ON SEMICONDUCTOR 汽车质量标准 AEC-Q101  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101   MSL MSL 1 -无限制  ON SEMICONDUCTOR MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

NVMFS6B14NLWFT1G产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0112
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com