BUZ901P,1208683,晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 200 V, 1.5 ohm, 1.5 V,SEMELAB
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

BUZ901P - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 200 V, 1.5 ohm, 1.5 V

SEMELAB BUZ901P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
SEMELAB SEMELAB
制造商产品编号:
BUZ901P
仓库库存编号:
1208683
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BUZ901P产品概述

The BUZ901P is a 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with high speed switching and integral protection diode designed for use in audio applications.
  • High energy rating
  • 50ns Turn-off time
  • 100ns Turn-on time

音频

BUZ901P产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  8A  
  漏源电压, Vds  200V  
  在电阻RDS(上)  1.5ohm  
  电压 @ Rds测量  -  
  阈值电压 Vgs  1.5V  
  功耗 Pd  125W  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
关键词         

BUZ901P相关搜索

晶体管极性 N沟道  SEMELAB 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 8A  SEMELAB 电流, Id 连续 8A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 8A  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 8A   漏源电压, Vds 200V  SEMELAB 漏源电压, Vds 200V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 200V  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 200V   在电阻RDS(上) 1.5ohm  SEMELAB 在电阻RDS(上) 1.5ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 1.5ohm  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 1.5ohm   电压 @ Rds测量 -  SEMELAB 电压 @ Rds测量 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -   阈值电压 Vgs 1.5V  SEMELAB 阈值电压 Vgs 1.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.5V  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.5V   功耗 Pd 125W  SEMELAB 功耗 Pd 125W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 125W  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 125W   晶体管封装类型 TO-247  SEMELAB 晶体管封装类型 TO-247  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-247  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-247   针脚数 3引脚  SEMELAB 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  SEMELAB 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  SEMELAB 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  SEMELAB 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL -  SEMELAB MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  SEMELAB 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BUZ901P产地与重量

原产地:
Great Britain

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.007
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com