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L6386ED - 

驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.1V至17V电源, 650mA输出, 110ns延迟, SOIC-14

STMICROELECTRONICS L6386ED
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
L6386ED
仓库库存编号:
2311302
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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L6386ED产品概述

The L6386ED is a high voltage low-side Gate Driver with BCD? offline technology and able to drive simultaneously one high and one low-side power MOS or IGBT device. The high-side (floating) section is enabled to work with voltage rail up to 600V. Both device outputs can independently sink and source 650 and 400mA respectively and can be simultaneously driven high. The device provides two input pins, two output pins and an enable pin (SD) and guarantees the outputs switch in phase with inputs. The logic inputs are CMOS/TTL compatible to ease the interfacing with controlling devices. This integrates a comparator that can be used to protect the device against fault events, like the over-current. The DIAG output is a diagnostic pin, driven by the comparator and used to signal a fault event occurrence to the controlling device. The bootstrap diode is integrated in the driver allowing a more compact and reliable solution.
  • CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull-down
  • Under-voltage lockout on lower and upper driving section
  • Integrated bootstrap diode
  • Outputs in phase with inputs

消费电子产品, 电机驱动与控制, HVAC, 照明, 自动化与过程控制, 电源管理

L6386ED产品信息

  驱动配置  高压侧和低压侧  
  输出电流峰值  650mA  
  电源电压最小值  9.1V  
  电源电压最大值  17V  
  驱动器封装类型  SOIC  
  针脚数  14引脚  
  输入延迟  110ns  
  输出延迟  110ns  
  工作温度最小值  -45°C  
  工作温度最高值  150°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

L6386ED产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423990
重量(千克):
.000605
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