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L6387ED - 

驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5.5V-17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8

STMICROELECTRONICS L6387ED
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
L6387ED
仓库库存编号:
2311303
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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L6387ED产品概述

The L6387ED is a simple and compact high voltage Gate Driver manufactured with the BCD? offline technology and able to drive a half-bridge of power MOS or IGBT device. The high-side (floating) section is enabled to work with voltage rail up to 600V. Both device outputs can independently sink and source 650 and 400mA respectively and cannot be simultaneously driven high thanks to an integrated interlocking function. The L6387E device provides two input pins and two output pins and guarantees the outputs toggle in phase with inputs. The logic inputs are CMOS/TTL compatible to ease the interfacing with controlling devices. The L6387E features the UVLO protection on the VCC supply voltage and integrates the bootstrap diode, allowing a more compact and reliable solution.
  • CMOS/TTL Schmitt-trigger inputs with hysteresis and pull-down
  • Internal bootstrap diode structure
  • Outputs in phase with inputs
  • Interlocking function
  • dV/dt immunity of ±50V/ns in full temperature range
  • 50/30ns Rise/fall with 1nF load switching time

消费电子产品, HVAC, 电机驱动与控制, 工业, 照明, 建筑自动化, 电源管理

L6387ED产品信息

  驱动配置  高压侧和低压侧  
  输出电流峰值  650mA  
  电源电压最小值  5.5V  
  电源电压最大值  17V  
  驱动器封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  输入延迟  110ns  
  输出延迟  105ns  
  工作温度最小值  -45°C  
  工作温度最高值  125°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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电话:400-900-3095
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L6387ED产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423300
重量(千克):
.0001
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