STD35NF06LT4,1752034RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V,STMICROELECTRONICS
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STD35NF06LT4 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V

STMICROELECTRONICS STD35NF06LT4
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制造商产品编号:
STD35NF06LT4
仓库库存编号:
1752034RL
技术数据表:
(EN)
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STD35NF06LT4产品概述

The STD35NF06LT4 is a 60V N-channel Power MOSFET developed using unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the MOSFET suitable for use as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.
  • Low threshold drive
  • Gate charge minimized
  • High peak power
  • High ruggedness capability

工业, 通信与网络, 计算机和计算机周边, 车用

STD35NF06LT4产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  17.5A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  14mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1V  
  功耗 Pd  80W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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STD35NF06LT4产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000419
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