STW26NM50,1468007,晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V,STMICROELECTRONICS
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STW26NM50 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V

STMICROELECTRONICS STW26NM50
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制造商产品编号:
STW26NM50
仓库库存编号:
1468007
技术数据表:
(EN)
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STW26NM50产品概述

The STW26NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh? technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH? horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
  • High dv/dt and avalanche capabilities
  • Improved ESD capability
  • Low input capacitance and gate charge

工业

STW26NM50产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  30A  
  漏源电压, Vds  500V  
  在电阻RDS(上)  120mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  313W  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  STW Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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STW26NM50产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.004309
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