STW26NM60N,2098389,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V,STMICROELECTRONICS
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STW26NM60N - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

STMICROELECTRONICS STW26NM60N
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制造商产品编号:
STW26NM60N
仓库库存编号:
2098389
技术数据表:
(EN)
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STW26NM60N产品概述

The STW26NM60N is a 600V N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
  • 100% Avalanche tested
  • Low input capacitance and gate charge
  • Low gate input resistance

工业

STW26NM60N产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  20A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  0.135ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  140W  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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STW26NM60N产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.068039
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