VNS1NV04DP-E,2066199,晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV,STMICROELECTRONICS
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VNS1NV04DP-E - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV

STMICROELECTRONICS VNS1NV04DP-E
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制造商产品编号:
VNS1NV04DP-E
仓库库存编号:
2066199
技术数据表:
(EN)
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VNS1NV04DP-E产品概述

The VNS1NV04DP-E is a 40V Fully Auto Protected Power MOSFET formed by two monolithic OMNIFET II chips. The OMNIFET II is designed in VIPower? M0-3 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
  • Linear current limitation
  • Thermal shutdown
  • Short-circuit protection
  • Integrated clamp
  • Low current drawn from input pin
  • Diagnostic feedback through input pin
  • ESD protection
  • Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
  • Compatible with standard power MOSFET

工业

VNS1NV04DP-E产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1.7A  
  漏源电压, Vds  45V  
  在电阻RDS(上)  0.25ohm  
  电压 @ Rds测量  5V  
  阈值电压 Vgs  500mV  
  功耗 Pd  4W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  -  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

VNS1NV04DP-E替代选择

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  • 仓库库存编号
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

VNS1NV04DP-E产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00195
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