CSD18511Q5AT,2695205,晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 1.8 V,TEXAS INSTRUMENTS
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晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 1.8 V

TEXAS INSTRUMENTS CSD18511Q5AT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD18511Q5AT
仓库库存编号：
2695205
技术数据表：
(EN)
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CSD18511Q5AT产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  27A  
  漏源电压, Vds  40V  
  在电阻RDS（上）  0.0019ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.8V  
  功耗 Pd  104W  
  晶体管封装类型  VSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  NexFET Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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QQ:800152669

CSD18511Q5AT产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0023
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