CSD86330Q3D,1972453,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 25 V, 4.6 ohm, 4.5 V, 1.4 V,TEXAS INSTRUMENTS
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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 25 V, 4.6 ohm, 4.5 V, 1.4 V

TEXAS INSTRUMENTS CSD86330Q3D
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制造商产品编号:
CSD86330Q3D
仓库库存编号:
1972453
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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CSD86330Q3D产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  20A  
  漏源电压, Vds  25V  
  在电阻RDS(上)  4.6ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  1.4V  
  功耗 Pd  6W  
  晶体管封装类型  SON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

CSD86330Q3D产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423990
重量(千克):
.00027
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