2SK3878(F),1714344,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 900 V, 1.3 ohm, 10 V, 4 V,TOSHIBA
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2SK3878(F) - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 900 V, 1.3 ohm, 10 V, 4 V

TOSHIBA 2SK3878(F)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
TOSHIBA TOSHIBA
制造商产品编号：
2SK3878(F)
仓库库存编号：
1714344
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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2SK3878(F)产品概述

The 2SK3878(F) is a 900V N-channel silicon Field Effect Transistor designed for switching regulator applications.
  • Low drain-source ON resistance
  • High forward transfer admittance
  • Low leakage current
  • Enhancement mode
  • 900V Drain to gate voltage
  • ±30V Gate to source voltage
  • 0.833°C/W Thermal resistance, junction to case
  • 50°C/W Thermal resistance, junction to ambient

工业

2SK3878(F)产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  9A  
  漏源电压, Vds  900V  
  在电阻RDS（上）  1.3ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  150W  
  晶体管封装类型  TO-3P  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
关键词         

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QQ:800152669

2SK3878(F)产地与重量

原产地：
Japan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.01143
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