2N7002E-T1-E3,2369282,场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷,VISHAY
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2N7002E-T1-E3 - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷

VISHAY 2N7002E-T1-E3
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
2N7002E-T1-E3
仓库库存编号:
2369282
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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2N7002E-T1-E3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  240mA  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  3ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  350mW  
  晶体管封装类型  TO-236  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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2N7002E-T1-E3产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000034
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