SI1021R-T1-GE3,2335269,晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -60 V, 4 ohm, -4.5 V, -3 V,VISHAY
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SI1021R-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -60 V, 4 ohm, -4.5 V, -3 V

VISHAY SI1021R-T1-GE3
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI1021R-T1-GE3
仓库库存编号:
2335269
技术数据表:
(EN)
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SI1021R-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -190mA  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  4ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -3V  
  功耗 Pd  250mW  
  晶体管封装类型  SOT-416  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SI1021R-T1-GE3参考库存及参考价格

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SI1021R-T1-GE3产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.0005
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