SI2323DS-T1-E3,1470106,晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 39 mohm, -4.5 V, -1 V,VISHAY
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SI2323DS-T1-E3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 39 mohm, -4.5 V, -1 V

VISHAY SI2323DS-T1-E3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI2323DS-T1-E3
仓库库存编号:
1470106
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI2323DS-T1-E3产品概述

The SI2323DS-T1-E3 is a P-channel TrenchFET? Power MOSFET with power dissipation at 1.25W.
  • ±8V Gate-source voltage
  • Halogen-free

工业

SI2323DS-T1-E3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -4.7A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS(上)  39mohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -1V  
  功耗 Pd  1.25W  
  晶体管封装类型  TO-236  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

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SI2323DS-T1-E3参考库存及参考价格

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SI2323DS-T1-E3产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0001
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