SI3421DV-T1-GE3.,2392958,场效应管, MOSFET, P 通道, -30V, -8A, TSOP-6,VISHAY
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SI3421DV-T1-GE3. - 

场效应管, MOSFET, P 通道, -30V, -8A, TSOP-6

VISHAY SI3421DV-T1-GE3.
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI3421DV-T1-GE3.
仓库库存编号:
2392958
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI3421DV-T1-GE3.产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -8A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  0.016ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -3V  
  功耗 Pd  4.2W  
  晶体管封装类型  TSOP  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  TrenchFET Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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SI3421DV-T1-GE3.产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000091
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