SI2347DS-T1-GE3,2646368,晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.033 ohm, -10 V, -2.5 V,VISHAY
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SI2347DS-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.033 ohm, -10 V, -2.5 V

VISHAY SI2347DS-T1-GE3
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI2347DS-T1-GE3
仓库库存编号:
2646368
技术数据表:
(EN)
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SI2347DS-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -5A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  0.033ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -2.5V  
  功耗 Pd  1.7W  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SI2347DS-T1-GE3参考库存及参考价格

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SI2347DS-T1-GE3产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00002
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