SI4564DY-T1-GE3,2056723RL,双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 10 A, 40 V, 0.0145 ohm, 10 V, 800 mV,VISHAY
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SI4564DY-T1-GE3 - 

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 10 A, 40 V, 0.0145 ohm, 10 V, 800 mV

VISHAY SI4564DY-T1-GE3
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI4564DY-T1-GE3
仓库库存编号:
2056723RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI4564DY-T1-GE3产品概述

The SI4564DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET? Power MOSFET.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested
  • 100% UIS Tested

电源管理

SI4564DY-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  N和P沟道  
  电流, Id 连续  10A  
  漏源电压, Vds  40V  
  在电阻RDS(上)  0.0145ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  800mV  
  功耗 Pd  3.1W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4564DY-T1-GE3产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000253
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