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SIC779CD-T1-GE3 - 

芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 3V-16V电源, 20ns延迟, POWERPAK-40

VISHAY SIC779CD-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SIC779CD-T1-GE3
仓库库存编号:
2361503RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIC779CD-T1-GE3产品概述

The SIC779CD-T1-GE3 is an integrated DrMOS Power Stage Solution optimized for high frequency buck applications. Operating frequencies in excess of 1MHz can easily be achieved. It contains PWM optimized n-channel MOSFETs (high-side and low-side) and a full featured MOSFET driver IC. The device complies with the Intel DrMOS standard for desktop and server Vcore power stages. The SiC779 delivers up to 40A continuous output current and operates from an input voltage range of 3 to 16V. The integrated MOSFETs are optimized for output voltages in the ranges of 0.8 to 2V with a nominal input voltage of 12V. The device can also deliver very high power at 5V output for ASIC applications. It incorporates an advanced MOSFET gate driver IC. This IC accepts a single PWM input from the VR controller and converts it into the high-side and low-side MOSFET gate drive signals.
  • Industry benchmark Gen III MOSFETs with integrated Schottky diode
  • DrMOS compliant gate driver IC
  • Enables Vcore switching at 1MHz
  • Easily achieve >93% efficiency in multi-phase, low output voltage solutions
  • Low ringing on the VSWH pin reduces EMI
  • Pin-compatible with DrMOS 6 x 6 version 4.0
  • Tri-state PWM input function prevents negative output voltage swing
  • 5V Logic levels on PWM
  • MOSFET threshold voltage optimized for 5V driver bias supply
  • Automatic skip mode operation (SMOD) for light load efficiency
  • Under-voltage lockout
  • Built-in bootstrap Schottky diode
  • Adaptive deadtime and shoot through protection
  • Thermal shutdown warning flag

信号处理, 计算机和计算机周边, 消费电子产品

SIC779CD-T1-GE3产品信息

  驱动配置  高压侧和低压侧  
  输出电流峰值  -  
  电源电压最小值  3V  
  电源电压最大值  16V  
  驱动器封装类型  PowerPAK  
  针脚数  40引脚  
  输入延迟  20ns  
  输出延迟  20ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  125°C  
  封装  剪切带  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIC779CD-T1-GE3产地与重量

原产地:
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000012
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