SUD50N04-8M8P-4GE3,1794799,晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 6.9 mohm, 10 V, 1.5 V,VISHAY
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SUD50N04-8M8P-4GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 6.9 mohm, 10 V, 1.5 V

VISHAY SUD50N04-8M8P-4GE3
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SUD50N04-8M8P-4GE3
仓库库存编号:
1794799
技术数据表:
(EN)
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SUD50N04-8M8P-4GE3产品概述

The SUD50N04-8M8P-4GE3 is a 40V N-channel TrenchFET? Power MOSFET. Suitable for backlight inverter for LCD display, DC to DC converter and full bridge converter applications.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested
  • 100% UIS Tested
  • PWM Optimised

电源管理

SUD50N04-8M8P-4GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  50A  
  漏源电压, Vds  40V  
  在电阻RDS(上)  6.9mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.5V  
  功耗 Pd  48.1W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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QQ:800152669

SUD50N04-8M8P-4GE3产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0003
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