规格：漏源电压, Vds 30V,
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
(EN)ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 30 V, 240 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 220 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.4 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.4 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 半桥接, N和P沟道, 3.98 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 150 mohm, -4.5 V, 700 mV
(EN)
