品牌：VISHAY,规格：漏源电压, Vds -30V,
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -30 V, 0.0103 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -19.2 A, -30 V, 0.0127 ohm, -4.5 V, -2.1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -14.9 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -19.7 A, -30 V, 8.1 mohm, -10 V, -1.2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -30 V, 0.0122 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -2.7A, SOT-363-6
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 4.2 mohm, -10 V, -1.2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 2.5W
(EN)VISHAY
P CHANNEL MOSFET, -30V, 12.6A, SOIC
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -75 A, -30 V, 5.5 mohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, P沟道
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -11.4A, -30V, 2.5W
(EN)
VISHAY
Transistor Polarity:P Channel
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -7.4 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 13A, SOIC
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4A, TO-236
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 12A, SC-70
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 73 mohm, -10 V, -1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, 双P沟道
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -11.4 A, -30 V, 0.0195 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
