品牌：VISHAY,规格：漏源电压, Vds -30V,
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mV
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 5.8 A, -30 V, 0.023 ohm, -10 V, -1 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 1.5W
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 14A, SOIC
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -14.9 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.7 A, -30 V, 14 mohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -30 V, 24 mohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 4.9A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.5 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V, -1 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -30 V, 0.0032 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 4.2 mohm, -10 V, -1.2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 9.8A, POWERPAK
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11.7A, POWERPAK
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -30 V, 0.0088 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 6.4A
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -60 A, -30 V, 0.0045 ohm, -10 V, -2.2 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -60 A, -30 V, 0.0045 ohm, -10 V, -2.2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 4.1 A, -30 V, 42 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
