规格：漏源电压, Vds 100V,
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 9 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 8.8 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V
(EN)TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
VISHAY
单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 100 V, 6.5 mohm, 10 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 800 mA, 100 V, 1.5 ohm, 10 V, 800 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
