规格：漏源电压, Vds -100V,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 75 mA, -100 V, 20 ohm, -10 V, -3.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 700 mA, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 7.7 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -100 V, 0.162 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -23 A, -100 V, 117 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 23 A, -100 V, 117 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -100V, -38A, TO-252-3
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -100V, -13.2A, POWERPAK 1212-8
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, 通用, P沟道, 21 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 14 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6.8 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 6.8A, D2-PAKT
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 2.8 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 16.5 A, -100 V, 190 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 5.6 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 13A, D-PAK
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.9 A, -100 V, 150 mohm, -10 V, -4 V
(EN)INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 6.6A D-PAK
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, 4 V
(EN)
