规格：漏源电压, Vds 500V,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 500 V, 850 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY SILICONIX
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 500 V, 0.43 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.21 ohm, 10 V, 5 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 1.4 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 14.1 A, 500 V, 0.35 ohm, 13 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 14.5A, TO220AB-3
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14.5 A, 500 V, 0.243 ohm, 10 V, 4 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 10.5A, TO-220FP-3
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 500 V, 850 mohm, 10 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO220AB-3
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 14.5A, TO-220FP-3
(EN)
