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场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 18A, TO-220FP-3

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总线, CAN, 收发器, 1, 1, 4.75 V, 5.25 V, SOIC

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芯片, 电力负载开关, 6V, SOIC-8

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芯片, 电力负载开关, 6V, SOIC-8

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发光二极管驱动器, 1输出, 反激, 9.8V-26V输入, SOIC-8

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电源负载开关, 高压侧, 1路输出, 16.9V, 20A, SOIC-20

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芯片, 稳压器, LDO, 双路, 5V, 0.3A/0.19A, SOIC-12

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直流/直流控制器, 高频, 4.5V至5.5V, 1路输出, 同步降压, 1.65MHz, MLPQ-20

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芯片, 直流/直流转换器, 6A, 1.5MHZ, QFN-17

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芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 半桥接器, NSOIC14

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直流-直流开关同步降压稳压器, 可调, 1V-16V输入, 600mV-14.4V/4A输出, 1.5 MHz, PQFN-15

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芯片, 多电压处理器, 稳压电源, SOIC-36

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芯片, 电源负载开关, 6 V, 3至220AB

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驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, LCC-44

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芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 高/低压侧, DIP-8

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芯片, 发光二极管驱动器, 降压, 150KHZ, SOT-23-6

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芯片, 驱动器, MOSFET/IGBT, 低压侧, SOIC-8

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芯片, 低噪放大器, 12.5DB, 2.3GHZ-2.69GHZ, TSNP-6

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芯片, 低噪放大器, 13.3DB, 728MHZ-960MHZ, TSNP-6

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芯片, 低噪放大器, 12.6DB, 1.805GHZ-2.2GHZ, TSNP-6

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芯片, 芯片, 低噪放大器, 17DB, 1.55GHZ-1.615GHZ, TSNP-6

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芯片, SP10T, 射频开关, 带MIPI射频前端, TSNP-20

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芯片, 射频开关, TSNP-20

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芯片, 射频开关, TSNP-20

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芯片, 射频开关, ATSLP-12