MULTICOMP

单管二极管 齐纳, 22 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C

VISHAY

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.8 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 3 V

VISHAY

小信号肖特基二极管, 单, 100 V, 150 mA, 1 V, 750 mA, 125 °C

TAIWAN SEMICONDUCTOR

单管二极管 齐纳, 56 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 150 °C

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, D2-PAK

ROHM

单管二极管 齐纳, 外延平面, 36 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 120 V, 0.0032 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -150 V, 0.12 ohm, -10 V, -5 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

单管二极管 齐纳, 3 V, 200 mW, SOD-323F, 5 %, 2 引脚, 150 °C

VISHAY

齐纳二极管, 3.3V, 500mW, SOD-123

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 225 mohm, 10 V, 5 V

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 2.7 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C

NXP

晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE

STMICROELECTRONICS

标准恢复二极管, 单, 60 V, 20 A, 505 mV, 180 A

TEXAS INSTRUMENTS

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.2 A, -20 V, 95 mohm, -4.5 V, -650 mV

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 36 mohm, 10 V, 4 V

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 80 V, 29 mohm, 10 V, 4 V

MULTICOMP

单晶体管 双极, 开关, NPN, 15 V, 500 MHz, 360 mW, 200 mA, 40 hFE

MULTICOMP

单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 110 hFE

VISHAY

二极管 小信号, 单, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns

MULTICOMP

单管二极管 齐纳, 8.2 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.7 A, 20 V, 68 mohm, 1 V, 1 V

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 21A, SOIC

ROHM

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 30 V, 154 mohm, 4.5 V, 1.5 V

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3.7 V