MULTICOMP

单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -60 V, 50 W, -2 A, 1000 hFE

VISHAY

单管二极管 齐纳, 43 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C

NEXPERIA

单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE

TAIWAN SEMICONDUCTOR

快速/超快二极管, 单, 500 V, 1 A, 1.7 V, 35 ns, 30 A

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 42A, D-PAKS

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, 74 A, -55 V, 20 mohm, 20 V, 4 V

MULTICOMP

标准恢复二极管, 200 V, 2 A, 单, 1.1 V, 60 A

ROHM

单管二极管 齐纳, 外延平面, 3.6 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道

ON SEMICONDUCTOR

快速/超快二极管, 双共阴极, 200 V, 6 A, 1.35 V, 55 ns, 50 A

NEXPERIA

单晶体管 双极, NPN, 40 V, 105 MHz, 1.5 W, 15 A, 50 hFE

VISHAY

肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 60 A, TO-263AC, 3 引脚, 810 mV

VISHAY

快速/超快功率二极管, 超快, 单, 600 V, 30 A, 2.65 V, 35 ns, 180 A

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 35 hFE

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 12 V, 8.5 mohm, 4.5 V, 1.9 V

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.7 V

INFINEON

场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC

VISHAY

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7.6 A, 12 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 1.5 V

MULTICOMP

二极管 小信号, 双隔离, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 2 A

NEXPERIA

小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 125 °C

ROHM

标准恢复二极管, 400 V, 1 A, 单, 1.3 V, 20 A

VISHAY

二极管 小信号, 双系列, 300 V, 225 mA, 1 V, 50 ns, 4 A

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 65 W, -5 A, 1000 hFE