ROHM

单管二极管 齐纳, 外延平面, 8.2 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C

ON SEMICONDUCTOR

单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 625 mW, -600 mA, 200 hFE

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 500 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

STMICROELECTRONICS

晶体管, IGBT, TO247

MULTICOMP

单管二极管 齐纳, 17 V, 5 W, DO-201AE, 5 %, 2 引脚, 150 °C

TAIWAN SEMICONDUCTOR

单管二极管 齐纳, 12 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 175 °C

SOLID STATE

单晶体管 双极, NPN, 140 V, 150 W, 16 A, 5 hFE

MULTICOMP

小信号肖特基二极管, 双共阳极, 30 V, 200 mA, 500 mV, 600 mA, 150 °C

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 6.2 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C

ROHM

单管二极管 齐纳, 外延平面, 6.8 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, P沟道, -14.5 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -1.9 V

IXYS SEMICONDUCTOR

单晶体管, IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚

ON SEMICONDUCTOR

单晶体管, IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

NEXPERIA

二极管 小信号, 双系列, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

ROHM

晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.085 ohm, -10 V, -2.5 V

VISHAY

MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 4.6A, POWERPAK 1212-8

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 20 V, 4 mohm, 10 V, 1.2 V

STMICROELECTRONICS

小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 30 A, 640 mV, 400 A, 150 °C

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 V

NEXPERIA

小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 1 A, 640 mV, 10 A, 150 °C

DIODES INC.

单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.6 W, 6 A, 200 hFE

ON SEMICONDUCTOR

达林顿双极晶体管

DIODES INC.

晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1.4 A, 60 V, 550 mohm, 10 V, 2.1 V

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 27 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C

IXYS SEMICONDUCTOR

快速/超快功率二极管, FRED, 1.2 kV, 52 A, 单, 2.55 V, 40 ns, 450 A