规格：汽车质量标准 -,
ON SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 2 A, 1.45 V, 75 ns, 35 A
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -400 V, 30 MHz, 730 mW, -500 mA, 65 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 130 MHz, 700 mW, -5.3 A, 400 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 600 mW, -4 A, 45 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 150 MHz, 390 mW, -2.7 A, 300 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 400 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 130 MHz, 1.35 W, 5 A, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
肖特基二极管
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 430 mA, 8 V, 0.5 ohm, 4.5 V, 4.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 530 mA, 20 V, 0.35 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -30 V, 0.0021 ohm, -10 V, -2.3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 25 A, 30 V, 0.0076 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -30 V, 0.0076 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -45 A, -30 V, 0.0072 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -110 A, -60 V, 0.0065 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
肖特基整流二极管, 6A x2
(EN)
