规格：汽车质量标准 -,
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 80 V, 500 mA, 1 V, 10 A, 125 °C
(EN)STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 1 A, 550 mV, 25 A, 125 °C
(EN)STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 1 A, 700 mV, 20 A, 125 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 100 V, 200 mA, 1 V, 750 mA, 150 °C
(EN)STMICROELECTRONICS
二极管 小信号, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 5 ns, 4 A
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 450 mV, 4 A, 125 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 350 mA, 900 mV, 7.5 A, 125 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -580 mA, -20 V, 420 mohm, -4.5 V, 700 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -385 mA, -30 V, 1.25 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 30 V, 24 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 40 V, 75 mohm, 10 V, 2.3 V
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -30 V, 0.0026 ohm, -10 V, -800 mV
(EN)TOSHIBA
晶体管, MOSFET, 功率, P沟道, -12 A, -40 V, 0.0061 ohm, -10 V, -800 mV
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V
(EN)TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V
(EN)TOSHIBA
晶体管, MOSFET, 功率, N沟道, 35 A, 60 V, 0.0043 ohm, 10 V, 1.3 V
(EN)TOSHIBA
晶体管, MOSFET, P沟道, -34 A, -30 V, 0.0037 ohm, -10 V, -800 mV
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.17 A, -15 V, 0.18 ohm, -10 V, -1.25 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 高速开关, 单, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 100 V, 150 mA, 1 V, 5 ns, 2 A
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 100 V, 150 mA, 1 V, 5 ns, 2 A
(EN)
