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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

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单晶体管 双极, PNP, -30 V, 165 MHz, 600 mW, -3 A, 100 hFE

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -100 V, 116 MHz, 1.3 W, -6 A, 10 hFE

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单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 280 mW, 100 mA, 200 hFE

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双极晶体管阵列, 双NPN, 60 V, 510 mW, 2 A, 50 hFE, SOT-1118

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双路场效应管, MOSFET, 沟槽式, N和P沟道, 330 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V

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二极管 小信号, AEC-Q101, 三独立式, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 16 A

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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -60 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE

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单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 600 V, 650 mW, 500 mA, 70 hFE

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单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 420 mW, 1 A, 40 hFE

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单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 100 hFE

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单晶体管 双极, NPN, 30 V, 210 MHz, 600 mW, 3 A, 180 hFE

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二极管阵列 齐纳, AEC-Q101, 100 V, 双共阳极, 300 mW, -55 °C, 150 °C, SOD-323

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单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 63 hFE

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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -60 V, 120 MHz, 600 mW, -3 A, 80 hFE

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单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFE

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单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 60 V, 160 MHz, 600 mW, 3 A, 75 hFE

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晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 80 V, 0.014 ohm, 10 V, 3 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 47 A, 60 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.7 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 100 V, 0.12 ohm, 10 V, 1.7 V

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单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 63 hFE

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单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 63 hFE

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单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 40 hFE

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双极晶体管阵列, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 230 mW, 100 mA, 200 hFE, DFN1010B