规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 45 V, 40 A, SlimDPAK, 3 引脚, 640 mV
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -60 V, 150 MHz, 325 mW, -1 A, 85 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 60 V, 3 A, 单, PowerDI 5, 3 引脚, 620 mV
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
BOURNS
小信号肖特基二极管, AEC-Q101, 单, 40 V, 100 mA, 450 mV, 1 A, 125 °C
(EN)VISHAY
肖特基整流器, 150 V, 40 A, 双共阴极, SlimDPAK, 3 引脚, 1.45 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -100A, TDSON-8
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 100 V, 1 A, 单, DO-214AC, 2 引脚, 840 mV
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 500mW, 36V, SOD-80
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 10 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
肖特基整流器, 120 V, 35 A, 单, SlimDPAK, 3 引脚, 1.05 V
(EN)
ROHM
肖特基整流器, AEC-Q101, 60 V, 3 A, 单, SOD-106, 2 引脚, 640 mV
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 双共阴极, 100 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.029 ohm, -4.5 V, -900 mV
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 0.88A, SOT-363-6
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 250 mW, SOD-923, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 187 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3.9 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 100 V, 2 A, 单, DO-214AC, 2 引脚, 790 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 9.1 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
