规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 120 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 100 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
标准恢复二极管, AEC-Q101, 单, 100 V, 700 mA, 1.1 V, 1.8 μs, 25 A
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 43 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 160 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 24 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
NEXPERIA
二极管阵列 齐纳, 5.1 V, 双共阳极, 300 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
MOSFET Transistor, N Channel, 2.2 A, 60 V, 0.107 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 60 V, 2 A, SOD-123W, 2 引脚, 670 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -60 V, 0.079 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 200 V, 10 A, PowerDI 5, 3 引脚, 880 mV
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 17 A, 75 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 12 V, 1 W, DO-213AB, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 40 V, 1 A, PowerDI 323, 2 引脚, 550 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 24 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 0.0205 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
