规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, 60 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 30 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 36 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 100 V, 310 mW, SOD-323F, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -12 V, 0.0048 ohm, -4.5 V, -600 mV
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.4 A, -55 V, 0.095 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 120 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 27 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, AEC-Q101, 双隔离, 60 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 9 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 20 V, 500 mA, 单, SOD-123, 2 引脚, 385 mV
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 82 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.0105 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 16 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 4.7 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 80 V, 0.0112 ohm, 10 V, 3 V
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 91 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
二极管, 射频/PIN, PI元件, 8 ohm, 100 V, SOT-143, 4引脚, 0.5 pF
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 8.2 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, PNP
(EN)ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 27 V, 500 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
