规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 62 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 68 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 12 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 100 MHz, 540 mW, -2 A, 150 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 100 V, 2 A, 940 mV, 30 ns, 50 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 7.5 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, AEC-Q101, 双共阴极, 200 V, 8 A, 950 mV, 25 ns, 130 A
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, AEC-Q101, 单, 1 kV, 1 A, 2.5 V, 75 ns, 30 A
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V
(EN)INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 30 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 22 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 双系列, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 0.062 ohm, -4.5 V, -1.01 V
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 电阻比率
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 51 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
快速/超快二极管, AEC-Q101, 双共阴极, 200 V, 4 A, 950 mV, 25 ns, 90 A
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 800 mA, 60 V, 0.3 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
